氧化铈抛光液氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光

水磨石镜面抛光液根据水磨石的结构特点研发，具有的渗透性和扩散力，能渗入到水磨石基料的分子间隙。经打磨产生化学反应，生成二氧化硅晶体，迅速在水磨石表面形成坚硬光亮的结晶层，使水磨石本身硬度和密度大大增加，其表面产生高光泽度，并增加其防水、防污、防滑效果，令石材保持天然色泽，延长使用寿命。

氧化铝和碳化硅抛光液

是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。

主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

多晶金刚石抛光液

多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。

抛光粉通常由氧化铈、氧化铝、氧化硅、氧化铁、氧化锆、氧化铬等组份组成。不同的材料的硬度不同，在水中的化学性质也不同，因此使用场合各不相同。通常，氧化铈抛光粉用于玻璃和含硅材料的抛光，氧化铝抛光粉用于不锈钢的抛光，氧化铁也可用于玻璃，但速度较慢，常用于软性材料的抛光。石材的抛光常使用氧化锡，瓷砖的抛光常使用氧化铬。

化学机械抛光：

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。